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    半導體探測器 簡介

    2016/11/11 14:15:51

    半導體探測器()是 以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和硅,其基本原理與氣體電離室相類似,故又稱固體電離室。
    半導體探測器的前身可以認為是晶體計數(shù)器。早在1926年就有人發(fā)現(xiàn)某些固體電介質在核輻射下產(chǎn)生電導現(xiàn)象。后來,相繼出現(xiàn)了氯化銀、金剛石等晶體計數(shù)器。但是,由于無法克服晶體的極化效應問題,迄今為止只有金剛石探測器可以達到實用水平。半導體探測器發(fā)現(xiàn)較晚,1949年開始有人用α 粒子照射鍺半導體點接觸型二極管時發(fā)現(xiàn)有電脈沖輸出。到1958年才出現(xiàn)第一個金硅面壘型探測器。直至60年代初,鋰漂移型探測器研制成功后,半導體探測器才得到迅速的發(fā)展和廣泛應用。

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